1.試驗目的
通過高低溫試驗箱模擬環(huán)境溫度變化提高電子元器件環(huán)境溫度、濕度、溫度循環(huán)等適應能力，加速元器件中可能發(fā)生或存在的化學反應（如由水蒸氣或其他離子所引起的腐蝕作用，表面泄漏、污染以及金-鋁金屬化合物的產(chǎn)生等），提前消除潛在缺陷。
電子元器件的許多故障是由于體內和表面的各種物理化學變化引起的。當環(huán)境溫度升高后，化學反應速率大大加快，故障過程也得到加速。有缺陷的元器件就會暴露。高溫儲存試驗對表面污染、引線鍵合不良和氧化層缺陷有很好的篩選作用。

電子元器件網(wǎng)圖示意

2.試驗原理
高溫儲存是在試驗箱中模擬高溫條件，對元器件施加高溫應力（無電應力），加快部件體內和表面各種物理化學變化的化學反應速率，加速故障過程，使有缺陷的部件盡快暴露；提前消除潛在缺陷。

高溫儲存篩選的特點：
（1） 對于工藝和設計水平較高的成熟設備，由于設備本身非常穩(wěn)定；最大的優(yōu)點是操作簡便易行?？纱笈窟M行試驗篩選，投資少，篩選效果好，是目前常用的篩選試驗項目。
（2）高溫存儲篩選效果，通過同溫則二存企D，穩(wěn)定元器件一流的性能，減少使用中的參數(shù)漂移。

3.試驗設備
高低溫試驗箱，適用于在高溫、低溫（交替）循環(huán)、恒溫變化下檢查基礎可靠性各項性能指標的儀器設備。產(chǎn)品部件和材料可能在高溫下軟化、降低效率、特性變化、潛在損壞、氧化等現(xiàn)象。

4.暴露的缺陷
元器件的電穩(wěn)定性、金屬化、硅腐蝕和引線鍵合缺陷等。

5.注意事項
1.溫度-時間應力的確定。
在不損害半導體器件的情況下篩選溫度越高越好，因此應盡可能提高貯存溫度。則貯存溫度需根據(jù)管殼結構、材料性質、組裝和密封工藝而定，同時還應特別注意溫度和時間的合理確定。有一種誤解認為溫度越高、時間越長篩選考驗就越嚴格，這是錯誤的。例如∶ 如果貯存溫度過高、時間過長會加速設備的退化，破壞設備的包裝，也可能導致導線涂層微裂紋和導線氧化，使焊接性差。確定溫度和時間對應關系的原則是保持對部件施加力的應力強度不變，即如果儲存溫度升高，則應減少儲存時間。
對干半導體器件來說，最高則存溫度除了受到金屬與半導體材料共熔點溫度的限制以外，不受到器件封裝所用的鍵合經(jīng)材料. 外殼漆層及標志而熱溫度和引線氧化溫度的限制。因此，金-鋁鍵合的器件最高貯存溫度可選150 ℃，鋁-鋁鍵合最高可選200℃，金-金鍵合器件最高可選300℃。對電容器來說，最高儲存溫度不僅受介質耐熱溫度的限制，還受外殼漆層、標志耐熱溫度和導線氧化溫度的限制。有些電容器也受外殼浸漬材料的限制。因此，電容器的最高儲存溫度一般取其正極限溫度。
2.大多數(shù)高溫儲存在包裝后進行，半導體設備也在包裝前的圓形階段或鍵合后進行，或在包裝前后進行。
3.國軍標中規(guī)定高溫貯存試驗結束后，必須在96 小時內完畢對元器件的測試對比。